NAND型闪存控制器LSI（GBDriver? RA6系列）的商品化
对应最新的闪存，强化安全性能、且提高作为HDD代替用途的可靠性
NAND型闪存控制器LSI（GBDriver? RA6）于2006年12月开始发售。
随着产品细分化带来的大容量化的飞速发展，NAND型闪存的存储单元格结构及功能也产生巨变，同类产品间往往难以兼容。为解决这个问题，本产品保持与传统的NAND型闪存的兼容性的同时，支持最新闪存（Two-Plane写入闪存）的控制，最大可以控制8个（8GByte）8Gbit的NAND型闪存。
并且，本品改良了NAND型闪存的管理方法，即使在对存储进行偏差的存储时，存储也不会集中在NAND闪存的一部分，所以可以使用多个NAND型闪存，使其大容量化，作为HDD的代替用途使用时也具备高可靠性。而且，最大发送速度达33.3MByte/s的UltraDMA Mode2，能够以行业最高水平的速度控制最新的闪存。
【主要用途】
可作为民用/产业用各种机器/IT机器的操作系统、文件系统、用户数据系统等的存储，并预计将被运用于混合PC等硅磁盘系统、PCMCIA ATA卡方面。
【主要特长】
1. 支持闪存
支持最新的NAND型闪存 (Two-Plane写入闪存)。支持包括各闪存供应商新开发的128Mbit～8Gbit闪存。支持从嵌入OS存储用小容量型，至音乐及录像信息流等大容量型，范围广泛。
2. 充实的可靠性控制
本控制器不仅可以确保后发性不良存储块的预备领域，同时改良控制器内的block控制机构，并安装地址控制机构，使得先天性不良存储块等集中发生的闪存也可使用。
3. 强化电源遮断耐性
完全防止电源遮断所造成的正在处理的对象数据以外的数据遭受破坏的现象，防止牵连错误发生。
4. 高速读写
支持主机接口的UltraDMA、通过闪存控制方式的变更，实现了突发保存速度达23MByte/s（相当于150倍速）、主机读出性能速度达24MByte/s（相当于160倍速）。通过优化主机的存储控制，可实现以稳定的发送率进行存储。
5. 错误订正/修复
具有4记号（40位）/1 sector的ECC功能。对于使用最新的NAND型闪存时出现的字符错误现象，在强化ECC功能的同时，通过自动恢复功能，在读取时于控制器内部进行自动修复错误。
6. 其他的功能
● 总区域数设定功能（剪贴功能）
通过减少数据领域中分配的物理存储块数量可以增加闪存的可改写次数。
● 保护功能
具备ATA标准的保护功能，客户可设定或解除密码，给与重要数据安全保障。
● 支持SMART指令
使用SMART指令可轻松管理闪存的使用状况及不良存储块的发生状况。
7. 解决方案支持
TDK于2000年自主开发GBDriver?系列NAND型闪存控制器，并投入市场。并且对于具有强大市场需求的FAE体制及可靠性显示器功能的安装支持等，向国内外客户提供基于本公司技术的支持服务。
