东芝开发了互补型MOSFET，将采用新一代的工艺技术制造的N-和P-信道MOSFET融为一体，有助于缩小小型电机和CCFL换流器专用功率驱动器的尺寸并提高其功率效率。
特征：
N沟道采用第四代MOSFET ，P沟道采用第五代MOSFET ，以此提高功率效率，减小尺寸。
(东芝还计划加入第六代MOSFET。)
(东芝还计划加入第六代MOSFET。)
根据其在各种应用情况中的预定用途运用特定工艺，因而切换速度快，开态电阻低。
可保证较高的雪崩耐量
_30_21.jpg "7月15~16日TDK总经理一行莅临指导")
_22_30.jpg "江苏商络电子机械有限公司再获TDK“综合最佳代理商”大奖！")
