东芝基于新一代工艺开发了低开态电阻的P-沟道MOSFET。这些器件专用于笔记本电脑和移动式手提装置的功率管理开关，有助于提高功率效率并减小此类应用的尺寸。
特征
通过第六代沟槽结构与铝条连接相结合实现超低开态电阻。 利用热特性较高的“Advance”封装形式实现大电流和大功率耗散。
低开态电阻的第五代工艺器件目前采用小型封装，例如PS-8和VS-6。
适用于多种应用情况，器件采用各种尺寸的封装:SOP Advance, SOP-8, TSSOP Advance, TSON Advance, PS-8, VS-8, VS-6
应用实例
功率管理开关:
笔记本电脑、手机、游戏机、FPD、DSC、DVC、移动式手提装置等
锂离子电池充电/放电保护电路:
笔记本电脑、手机、游戏机、DSC、DVC、移动式手提装置等
笔记本电脑、手机、游戏机、DSC、DVC、移动式手提装置等
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